濺射功率對Ca2Si薄膜性質的影響

全部作者： 任雪勇 謝泉 楊吟野 肖清泉 楊創華 曾武賢 梁艷 第1作者單位： 貴州大學 電子科學與信息技術學院 論文摘要： 采用射頻磁控濺射技術在Si（100）襯底上沉積了Si-Ca-Si薄膜，并在高真空條件下對樣品進行退火處理，直接生成立方相Ca2Si薄膜。研究了不同濺射功率對薄膜的晶體結構、表面（斷面）形貌的影響，并對其光學性質進行了測試分析。結果表明：Ca2Si薄膜為立方結構且具有沿(111)向擇優生長的特性，當濺射功率為120W時，Ca2Si薄膜變的均勻、致密，在 4000Å -8000 Å波長范圍內，濺射功率對折射率n和吸收系數k的影響較小。 關鍵詞： 射頻磁控濺射，Ca2Si薄膜，濺射功率 (瀏覽全文) 發表日期： 2007年07月12日 同行評議：

（暫時沒有）

綜合評價： （暫時沒有） 修改稿：

【濺射功率對Ca2Si薄膜性質的影響】相關文章：

濺射功率和退火時間對Ca2Si薄膜結構特性的影響03-07

Ca2Si電子結構和光學性質的研究03-07

影響護士靜脈穿刺成功率的因素及對策03-06

淺談靜脈穿刺成功率的影響因素與護理對策03-01

無功補償技術對低壓電網功率因數的影響03-07

杜預的“經承舊史”說及其影響—《春秋》性質討論01-07

硅薄膜的制備及光學性能研究03-01

企業的性質03-26

雙峰薄膜樹脂7000F的開發03-22