具有快速光響應的ZnO紫外探測器的研制

全部作者： 張景文 徐慶安 侯洵 第1作者單位： 西安交通大學 論文摘要： 利用射頻濺射裝置在石英襯底上生長了具有C軸擇優取向的ZnO薄膜，通過光刻、真空蒸鍍Al電極等工藝，制得了具有叉指狀電極的平面結構光電導型紫外探測器。暗態及360nm光照下探測器的I-V特性均為線性，并有較大的差別，5V偏壓下暗電流僅為0.038uA, 360nm處的光電響應度為1.8A/W。利用脈沖寬度為30ns的KrF準分子激光器和200MHz帶寬的示波器搭建了響應時間測試平臺，測試結果表明該探測器響應時間譜上升時間僅為100ns，下降時間為1.5us。 關鍵詞： ZnO;紫外探測器，X射線衍射，透射譜，光電響應度，光電響應時間 (瀏覽全文) 發表日期： 2006年11月28日 同行評議：

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